SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了DRAM、NAND及HBM的长期规划:2029-2031年将推出DDR6内存、GDDR7-Next显存及PCIe 7.0 SSD;2026-2028年则聚焦HBM4系列(含16层堆叠HBM4、8-16层HBM4E及定制款)、LPDDR6/LPDDR5X等传统与AI向DRAM,以及245TB+ QLC PCIe 5.0 SSD、企业级/消费级PCIe 6.0 SSD及UFS 5.0闪存。
2029-2031年规划中,HBM5/HBM5E将集成控制器与协议IP以降低功耗;DRAM方面,GDDR7-Next作为GDDR7升级版(速度上限48Gbps,当前30-32Gbps),DDR6及3D DRAM将推动PC/服务器从DDR5向DDR6过渡;NAND领域则包含PCIe 7.0 SSD(消费级/企业级)、UFS 6.0、400层+4D NAND及AI专用高带宽AI-N产品。线路图覆盖HBM、DRAM、NAND三大类,涵盖传统市场标准品与AI市场衍生品,体现SK海力士在存储技术迭代与AI场景适配上的战略布局。
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